过去led只能拿来做为状态指示灯的时代，其封装散热从来就不是问题，但近年来led的亮度、功率皆积极提升，并开始用于背光与电子照明等应用后，led的封装散热问题已悄然浮现。 
上述的讲法听来有些让人疑惑，今日不是一直强调led的亮度突破吗？2003年lumileds lighting公司roland haitz先生依据过去的观察所理出的一个经验性技术推论定律，从1965年第一个商业化的led开始算，在这30多年的发展中，led约每18个月～24个月可提升一倍的

随着电子技术的发展，电子产品的集成化程度越来越高，结构越来越细微，工序越来越多，制造工艺越来越复杂，这样在制造过程中会产生潜伏缺陷。对一个好的电子产品，不但要求有较高的性能指标，而且还要有较高的稳定性。电子产品的稳定性取决于设计的合理性、元器件性能以及整机制造工艺等因素。目前，国内外普遍采用高温老化工艺来提高电子产品的稳定性和可*性，通过高温老化可以使元器件的缺陷、焊接和装配等生产过程中存在的隐患提前暴露，保证出厂的产品能经得起时间的考验。
1 高温老化的机理
电子产品在生产制造时，

VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0。1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1。 
  VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS

(一)按电阻体材料分类： 
    1．线绕电位器：它的电阻体是用电阻丝绕在涂有绝缘材料的金属或非金属板上制成的。它又可分为通用、精密、大功率、预调试线绕电位器—型号为wx；
    2．非线绕电位器：可分为实心电位器、膜式电位器。     
    实心电位器：它又可分为

一、激光二极管的检测方法   
（一）判定管脚的排列顺序  
将万用表置于R×1K挡，按照检测普通二极管正、反电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。   
但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以当检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。  
（二）激光二极管

  1．选择晶闸管的类型  晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波生发器、长时间延时

场效应晶体管有多种类型，应根据应用电路的需要选择合适的管型。例如，彩色电视机的高频调谐器、半导体收音机的变频器等高频电路，应使用双栅场效应晶体管。 
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选用功率MOS场效应晶体管。
所选场效应晶体管的主要参数应符合应用电路的具体要求。小功率场效应晶体管应注意输入阻抗、低频跨导

1．根据应用电路的具体要求选择电容器  电容器有多种类型，选用哪种类型的电容器，应根据应用电路的具体要求而定。
通常高频和超高频电路中使用的电容器，应选用云母电容器、玻璃釉电容器或高频（I类）瓷介电容器。而纸介电容器、金属化纸介电容器、有机薄膜电容器、低频（II类、III类）瓷介电容器、电解电容器等，一般用于中、低频电路中。在调谐电路中，可选用固体介质密封可变电容器、空气介质电容器和微调电容器。
所选电容器的主要参数（包括标称容量、允许偏差、额定工作电

（一）根据使用要求选用电位器
选用电位器时，应根据应用电路的具体要求来选择电位器的电阻体材料、结构、类型、规格、调节方式。
例如，大功率电路选用功率型线绕电位器；精密仪器等电路中应选用高精度线绕电位器、精密多圈电位器或金属玻璃釉电位器；中、高频电路可选用碳膜电位器；半导体收音机的音量调节兼电源开关可选用小型带旋转式开关的碳膜电位器；立体声音频放大器的音量控制可选用双连同轴电位器；音响系统的音调控制可选用直滑式电位器；电源电路的基准电压调节应选用微调电位器；通讯设备

一般的光电耦合器在热风枪加热后,用万用表R×1k挡对二次侧进行测量，发现其阻值并无异常。但是，用R×10k挡进行测量时，立即就会发现其③～④脚电阻值在30~45kΩ之间变化。因此，在检测各种型号光电耦合器时，一定要使用R×1Ok挡检测，或用代换法替换，以免多走弯路。

  1、检测小功率晶体二极管
A、判别正、负电极
(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
　　B、检测最高工作频率fM。

测量单向晶闸管，可按图1-1搭一个简单电路。先接通单向晶闸管的阳级（A）和阴极（k），控制极G不接。如此时指示灯亮，被测晶闸管则是坏的。当被测晶闸管所接指示灯不亮时，再接一下控制极G，然后断开。如果灯泡亮，则说明被测晶闸管是好的，灯泡亮度高，说明被测管内阻小。如果指示灯不亮，说明被测晶闸管是坏的。

用万用表测试双向晶闸管的好坏，首先要分清双向晶闸管的控制极G和主电极T1和T2。把万用表拨在R×1或R×10挡，黑表笔接T2，红表笔接T1，然后将T2与G瞬间短路一下，立即离开，此时若表针有较大幅度的偏转，并停留在某一位置上，说明T1与T2已触发导通；把红、黑表笔调换后再重复上述操作，如果T1、T2仍维持导通，说明这只双向晶闸管是好的，反之则是坏的。双向晶闸管管芯结构如下图。

双向晶闸管除了一个电极G仍然叫控制极外，另外两个电极通常不再叫阳极和阴极，而统称为主电极T1和T2。双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型5层结构的半导体，其符号和内部结构图见图1-1。
用万用表区分双向晶闸管电极的方法是：首先找出主电极T2。将万用表置于R×100挡，用黑表笔接双向晶闸管的任一个电极，红表笔分别接双向晶闸管的另外两个电极，如果表针不动，说明黑表笔接的就是主电极T2。否则就要把黑表笔再调换到另一个电极上，按上述方法进行测量，直到找出主电极T2。

普通的光电开关无论是对射还是反射式都有四个管脚。其中两个管脚是红外发射二极管的管脚，另外两个是光电三极管的管脚。我们一对射式光电开关为例，说明判别四个管脚的方法：把万用表拨在R×1K挡，用一只手堵住光电开关的发射管和接收管，用黑、红表笔分别测每只管子的两根引脚电阻，然后把红、黑表笔对调一下后再测量每只管子的两根引脚。当找到正向电阻在20K左右的那两根引脚时，黑表笔接的就是红外发射二极管的正极，红表笔接的就是红外发射二极管的负极。
区分光敏三极管的“E”和“C”：把接收管对着